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產(chǎn)品分類(lèi):【Slkor _薩科微】
IGBT(insulated gate bipolar transistor),絕緣柵雙極晶體管,由雙極晶體管(BJT)和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Metal Oxide Semiconductor,MOS)組成,具有金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)輸入阻抗高的優(yōu)點(diǎn)晶體管(MOSFET)和巨型晶體管(GTR)的低導(dǎo)通壓降。GTR飽和電壓降低,載流密度高,但驅(qū)動(dòng)電流大;MOSFET的驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT結(jié)合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小,飽和電壓低。非常適用于直流電壓600V及以上的變流系統(tǒng),如交流電機(jī)、變頻器
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